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功率半導(dǎo)體Double Pulse Test方法
  • 發(fā)布日期:2024-08-12      瀏覽次數(shù):179
    •       實(shí)施雙脈沖測試,不僅能精準(zhǔn)測量功率設(shè)備的開關(guān)特性和損耗,而且能進(jìn)一步優(yōu)化電力轉(zhuǎn)換過程。通過示波器上的WBG-DPT應(yīng)用軟件,可以通過自動(dòng)化測試流程,顯著提高測試效率和結(jié)果的可靠性。本篇將詳細(xì)介紹WBG-DPT的優(yōu)勢,如縮短測試時(shí)間、提高測量的重復(fù)性,以及按照J(rèn)EDEC/IEC標(biāo)準(zhǔn)或自定義參數(shù)進(jìn)行精準(zhǔn)測量的能力。此外,還將展示如何使用WBG-DPT軟件進(jìn)行高等級測量設(shè)置,如死區(qū)時(shí)間測量和反向恢復(fù)特性分析,這些功能對于提升半導(dǎo)體測試的效率和精度至關(guān)重要。

      功率半導(dǎo)體Double Pulse Test方法

      一、示波器上的雙脈沖測試軟件

           WBG-DPT應(yīng)用相較于手動(dòng)測試提供了幾個(gè)重要優(yōu)勢:

      1、縮短測試時(shí)間

      2、即使在帶有振鈴的信號上也能實(shí)現(xiàn)可重復(fù)的測量

      3、根據(jù)JEDEC/IEC標(biāo)準(zhǔn)或使用自定義參數(shù)進(jìn)行測量

      4、預(yù)設(shè)功能以便于示波器設(shè)置

      5、在脈沖之間和注釋之間輕松導(dǎo)航

      6、在結(jié)果表中總結(jié)測量結(jié)果

      7、通過報(bào)告、會(huì)話文件和波形記錄結(jié)果

      8、完整的編程接口實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化

      9、使用可配置的限制和對失敗采取的行動(dòng)進(jìn)行合格 / 不合格測試

          有關(guān) WBG-DPT 應(yīng)用的更多信息,請參閱數(shù)據(jù)表。

          測量分為開關(guān)參數(shù)分析、開關(guān)定時(shí)分析和二極管恢復(fù)分析。


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                  圖16. WBG-DPT應(yīng)用中的開關(guān)定時(shí)分析測量。


      二、WBG Deskew功能

            脈沖的幅度設(shè)置為2.5伏。其脈沖的脈寬設(shè)置為10微秒,間隙設(shè)置為5微秒,第二個(gè)脈沖設(shè)置為5微秒。觸發(fā)設(shè)置為手動(dòng)。

            SMU儀器設(shè)置為向HV源輸入100伏。配置好門驅(qū)動(dòng)信號和電源后,現(xiàn)在可以使用示波器上的WBG-DPT應(yīng)用來配置和執(zhí)行雙脈沖測試。

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      圖17. WBG Deskew過程專門用于雙脈沖測試,并在信號被獲取后實(shí)現(xiàn)電流和電壓波形的對齊。


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                                                 圖18:雙脈沖測試波形。


            注意圖18中的波形與圖8中顯示的波形相似。再次提到,Ids上看到的電流超調(diào)是由于高側(cè)MOSFET/IGBT的自由輪二極管的反向恢復(fù)。這個(gè)尖峰是被使用設(shè)備的固有特性,并將導(dǎo)致?lián)p耗。

      (一)測量開通和關(guān)斷時(shí)序及能量損失

               為了計(jì)算開通和關(guān)斷參數(shù),我們查看第 一個(gè)脈沖的下降沿和第二個(gè)脈沖的上升沿。

               測量開通和關(guān)斷參數(shù)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)如圖19所示。

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      圖19:開關(guān)時(shí)間標(biāo)準(zhǔn)波形 [5]。


      (1)td(on):VGS在其峰值的10%與Vds在其峰值的90%之間的時(shí)間間隔。

      (2)Tr:VDS從90%降到10%的峰值之間的時(shí)間間隔。

      (3)td(off):VGS在其峰值的90%與Vds在其峰值的10%之間的時(shí)間間隔。

      (4)Tf:VDS從10%升到90%的峰值之間的時(shí)間間隔。


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      圖20:示波器上的DPT軟件支持標(biāo)準(zhǔn)和自定義參考水平。滯回帶設(shè)置了參考水平的范圍,信號必須穿過該范圍才被識(shí)別為一個(gè)過渡。這有助于過濾掉偶發(fā)事件。


           圖21展示了在示波器上捕獲的波形和開通參數(shù)的測量。在示波器上,啟動(dòng)WBG-DPT應(yīng)用。選擇功率設(shè)備類型為MOSFET。配置VDS 、ID和VGS源。


           轉(zhuǎn)到開關(guān)定時(shí)分析組。添加Td(on)、Td(off)、Tr和Tf測量。配置Td(on)測量,點(diǎn)擊預(yù)設(shè)。這將示波器設(shè)置為單次采集。


           開啟電源。


           開啟AFG31000以產(chǎn)生輸出脈沖。


           如圖21所示,結(jié)果波形被捕獲在示波器上。


           然后使用以下方程計(jì)算過渡期間的能量損失:

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            通常,設(shè)計(jì)師會(huì)在示波器上使用積分功能來計(jì)算這一特定的能量損失。WBG-DPT應(yīng)用在開關(guān)參數(shù)分析組下提供Eon測量。這個(gè)測量設(shè)置了積分并快速顯示結(jié)果。上述相同的方程可用于計(jì)算關(guān)斷過渡期間的能量損失:


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            DPT應(yīng)用在開關(guān)參數(shù)分析菜單中包括一個(gè)自動(dòng)Eoff測量。這執(zhí)行計(jì)算并直接提供能量損失結(jié)果。


            注意:示波器捕獲的數(shù)據(jù)僅供參考。


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      圖21:開通參數(shù)波形


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      圖22展示了使用示波器光標(biāo)獲得的關(guān)斷波形測量。


      二、測量反向恢復(fù)

           現(xiàn)在,需要測量MOSFET的反向恢復(fù)特性。

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      圖23


            反向恢復(fù)電流發(fā)生在第二個(gè)脈沖的開通期間。如圖 23所示,在第二階段,二極管在正向條件下導(dǎo)通。當(dāng)?shù)蛡?cè)MOSFET 再次開通時(shí),二極管應(yīng)立即切換到反向阻斷狀態(tài);然而,二極管會(huì)在一個(gè)短時(shí)間內(nèi)以反向條件導(dǎo)通,這被稱為反向恢復(fù)電流。這種反向恢復(fù)電流轉(zhuǎn)化為能量損失,這直接影響了功率轉(zhuǎn)換器的效率。


            現(xiàn)在測量高側(cè)MOSFET的參數(shù)。通過高側(cè)MOSFET測量Id,并在二極管上測量 Vsd。


            圖23還展示了如何檢索反向恢復(fù)參數(shù):


            反向恢復(fù)參數(shù):trr(反向恢復(fù)時(shí)間)、Irr(反向恢復(fù)電流)、Qrr(反向恢復(fù)電荷)、Err(反向恢復(fù)能量)、di/dt和Vsd(正向?qū)妷海?/span>


            然后使用以下方程計(jì)算過渡期間的能量損失:


      功率半導(dǎo)體Double Pulse Test方法


            WBG-DPT支持在二極管反向恢復(fù)組下測量Trr 、Qrr和Err。波形和捕獲的結(jié)果顯示在圖24中。


            多個(gè)Trr測量也可以在一個(gè)重疊的圖中顯示,顯示選定的脈沖、標(biāo)注、切線和配置的值。


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      圖24:反向恢復(fù)波形。顯示器頂部的波形顯示了多個(gè)事件的重疊圖。切線(A-B)表示當(dāng)前選中的測量事件。


      三、測量死區(qū)時(shí)間

            對于半橋配置中的開關(guān)設(shè)備,為了確保被測試設(shè)備(DUT)的完整性和人員的安全,一個(gè)開關(guān)在另一個(gè)開關(guān)開啟前必須關(guān)閉。如果兩個(gè)開關(guān)同時(shí)開啟,會(huì)發(fā)生“穿透"現(xiàn)象,這將導(dǎo)致失敗。然而,兩個(gè)開關(guān)關(guān)閉的時(shí)間過長會(huì)影響效率。因此,優(yōu)化死區(qū)時(shí)間是一個(gè)關(guān)鍵的設(shè)計(jì)目標(biāo)。?t?t = 死區(qū)時(shí)間Vgs1 Vgs2g圖25。在半橋功率轉(zhuǎn)換器中,死區(qū)時(shí)間是一個(gè)開關(guān)設(shè) 備關(guān)閉和另一個(gè)FET開啟之間的延遲,如圖中的Δt所示。

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      25


            死區(qū)時(shí)間(Tdt)是一個(gè)MOSFET關(guān)斷時(shí)間和另一個(gè)MOSFET開通時(shí)間之間的時(shí)間延遲,通過每個(gè) MOSFET的門驅(qū)動(dòng)信號測量。死區(qū)時(shí)間在圖25中顯示為Δt。


            WBG-DPT應(yīng)用包含一個(gè)自動(dòng)化的死區(qū)時(shí)間測量,可以在“開關(guān)定時(shí)分析"選項(xiàng)卡下找到,如圖16所示。Tdt測量顯示在圖26的顯示屏右側(cè)中。死區(qū)時(shí)間是一個(gè)門電壓的配置下降沿級別和另一個(gè)門電壓的配置上升沿級別之間的時(shí)間間隔。默認(rèn)的上升和下降沿級別為50%。測量注釋(虛線垂直線)標(biāo)示了門驅(qū)動(dòng)信號上的死區(qū)時(shí)間測量。


            在某些情況下,必須在具有緩慢上升或下降時(shí)間的波形上進(jìn)行死區(qū)時(shí)間測量。在這些情況下,可以在測量中配置自定義邊緣級別。自定義級別可以相對于波形的高低級別,或者是絕 對值。

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      圖26. 自動(dòng)化死區(qū)時(shí)間測量。第6通道的門驅(qū)動(dòng)信號(綠色)關(guān)閉低側(cè)MOSFET,然后高側(cè)MOSFET的門驅(qū)動(dòng)信號(黃色)開啟高側(cè)MOSFET。


      四、結(jié)語

            雙脈沖測試是測量功率設(shè)備的開關(guān)參數(shù)和評估其動(dòng)態(tài)行為的必選測試方法。使用這個(gè)應(yīng)用的測試和設(shè)計(jì)工程師對了解功率設(shè)備的開關(guān)、定時(shí)和反向恢復(fù)行為表現(xiàn)出濃厚的興趣。此測試需要兩個(gè)具有不同脈寬的電壓脈沖,這是主要的用戶痛點(diǎn),因?yàn)閯?chuàng)建具有不同脈寬的脈沖的方法耗時(shí)較長。

      在4/5/6系列MSO上的WBG-DPT雙脈沖應(yīng)用能夠進(jìn)行特定標(biāo)準(zhǔn)的測試,分析功率設(shè)備的行為,與手動(dòng)測試相比節(jié)省時(shí)間。該應(yīng)用包括一個(gè)預(yù)設(shè)功能,以幫助捕獲正確的波形,提供詳細(xì)的配置選項(xiàng)以超越標(biāo)準(zhǔn)測試,啟用信號調(diào)理功能以分析噪聲波形,提供導(dǎo)航和注釋功能,并提供詳細(xì)的文檔以實(shí)現(xiàn)可重復(fù)的測量。


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