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功率開(kāi)關(guān)器件DPT測(cè)試步驟詳解
  • 發(fā)布日期:2024-08-12      瀏覽次數(shù):232
    •        雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測(cè)試,通過(guò)雙脈沖測(cè)試可以便捷的評(píng)估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)程中的主要參數(shù),更好的評(píng)估器件性能,優(yōu)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)等等。

             雖然功率半導(dǎo)體器件的手冊(cè)上會(huì)有參數(shù)標(biāo)注,但這些參數(shù)都是在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下得到的。使用IGBT或者M(jìn)OSFET做逆變器的工程師如果不加以測(cè)試,而直接在標(biāo)定的工況下跑看能否達(dá)到設(shè)計(jì)的功率,無(wú)法全面了解器件性能,進(jìn)而影響產(chǎn)品長(zhǎng)期可靠性。又或者設(shè)計(jì)裕量過(guò)大帶來(lái)成本增加,使得產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力下降。

             如果能在設(shè)計(jì)研發(fā)階段,精準(zhǔn)地了解器件的開(kāi)關(guān)性能,將對(duì)整個(gè)產(chǎn)品的優(yōu)化帶來(lái)極大的好處。比如能在不同的電壓、電流和溫度下獲得開(kāi)關(guān)損耗,給系統(tǒng)仿真提供可靠的數(shù)據(jù);又比如可以通過(guò)觀察波形振蕩情況來(lái)選擇合適的門(mén)極電阻。作為功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的供應(yīng)商,我們?yōu)殡p脈沖測(cè)試提供多種先進(jìn)電源產(chǎn)品。


      一、雙脈沖測(cè)試平臺(tái)

            功率開(kāi)關(guān)器件雙脈沖測(cè)試設(shè)備:

      1、高壓電源

      2、電容組

      3、負(fù)載電感

      4、示波器

      5、高壓差分電壓探頭(1000:1)

      6、電流探頭

      7、可編程信號(hào)發(fā)生器或高精密源測(cè)量單元/源表/SMU

      雙脈沖測(cè)試流程.jpg

      二、雙脈沖測(cè)試流程:

      1、步驟一:

      (1)在t0時(shí)刻,被測(cè)IGBT的門(mén)極接收到第 一個(gè)脈沖,被測(cè)IGBT導(dǎo)通,母線電壓U加在負(fù)載電感L上,電感上的電流線性上升,I=U*t/L;

      (2)IGBT關(guān)斷前的t1時(shí)刻,電感電流的數(shù)值由U和L決定;在U和L都確定時(shí),電流的數(shù)值由IGBT開(kāi)啟的脈寬T1決定,開(kāi)啟時(shí)間越長(zhǎng),電流越大;

      (3)執(zhí)行點(diǎn):通過(guò)改變脈沖寬度的大小,自主設(shè)定電流的數(shù)值。

      步驟二.jpg

      2、步驟二:

      (1)t1到t2之間,IGBT關(guān)斷,此時(shí)負(fù)載的電流L的電流由上管二極管續(xù)流,該電流緩慢衰減;

      (2)t1到t2之間,IGBT關(guān)斷,此時(shí)負(fù)載的電流L的電流由上管二極管續(xù)流,該電流緩慢衰減;

      (3)關(guān)注點(diǎn):在該時(shí)刻,重點(diǎn)是觀察IGBT的關(guān)斷過(guò)程,電壓尖峰是重要的監(jiān)控對(duì)象。

      步驟三.jpg

      3、步驟三

      (1)在t2時(shí)刻,被測(cè)IGBT 再次導(dǎo)通,續(xù)流二極管進(jìn)入反向恢復(fù)狀態(tài),反向恢復(fù)電流會(huì)穿過(guò)IGBT,此時(shí)電流探頭所測(cè)得的Ic為FRD反向電流與電感電流疊加,產(chǎn)生電流尖峰; 

      (2)重點(diǎn)觀察:IGBT的開(kāi)通過(guò)程,電流峰值是重要的監(jiān)控對(duì)象,同時(shí)應(yīng)注意觀察柵極波形是否存在震蕩現(xiàn)象。

      步驟四.jpg

      4、步驟四

      (1)在t3時(shí)刻,被測(cè)IGBT再次關(guān)斷,與之前關(guān)斷相同,因?yàn)槟妇€雜散電感Ls的存在,會(huì)產(chǎn)生一定的電壓尖峰;

      (2)重點(diǎn)觀察:關(guān)斷之后電壓和電流是否存在不合適的震蕩。

      得到什么.jpg

      三、通過(guò)雙脈沖測(cè)試我們可以得到什么?

      1、獲取ICRM(MAX峰值電流)IRBSOA(MAX關(guān)斷電流)

      MAX關(guān)斷電流.jpg


      2、測(cè)量主電路雜散電感:Us=Ls*di/dt

      雜散電感.jpg


      3、評(píng)估續(xù)流二極管的風(fēng)險(xiǎn)

      風(fēng)險(xiǎn).jpg

      四、雙脈沖測(cè)試中的電流源

            隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,IGBT、MOSFET、BJT等半導(dǎo)體器件向小型化、集成化、大功率方向發(fā)展。為了避免大功率測(cè)試過(guò)程中溫升對(duì)測(cè)試造成影響、甚至燒壞器件。在法規(guī)和行業(yè)測(cè)試中,通常會(huì)給被測(cè)器件施加滿足功率條件下的瞬時(shí)電流脈沖,進(jìn)行半導(dǎo)體器件相關(guān)參數(shù)測(cè)試。              


      五、電容儲(chǔ)能式脈沖電流源

             脈沖恒流源以儲(chǔ)能電容放電的方式發(fā)生電流脈沖。從功能實(shí)現(xiàn)角度分析,脈沖電源的工作電路由以下兩個(gè)基本回路組成;

      脈沖電流源.jpg

      電容充電電路:直流源通過(guò)限流電阻R給超等電容充電;

      脈沖放電電流:超等電容C通過(guò)開(kāi)關(guān)管對(duì)負(fù)載RL放電;

      脈沖電流幅值:電容C充電壓控制和電阻RL決定;

      脈沖寬度:開(kāi)關(guān)時(shí)間t決定;


      六、電容充電:

             根據(jù)超等電容的特性,充電電源應(yīng)具備寬范圍輸出能力,可實(shí)現(xiàn)如下功能:

      1、電壓高速建立并維持穩(wěn)定;

      2、電流高速上升、無(wú)明顯過(guò)沖.


      七、充電電源典型案例:

            某客戶IGBT測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行16F電容充電測(cè)試:

      16F電容.jpg

      *實(shí)測(cè)曲線*


          客戶期望在超等電容充電過(guò)程中電壓建立速度快,過(guò)沖小。使用IT6000C系列高性能直流電源產(chǎn)品,利用CC/CV優(yōu)先權(quán)功能有優(yōu)質(zhì)的表現(xiàn),幫助用戶提高測(cè)試效率。

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